MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：9
- 题名/责任者:
- 模拟CMOS电路设计折中与优化/(美) David M. Binkley著 冯军, 胡庆生等译
- 出版发行项:
- 北京:电子工业出版社,2013.5
- ISBN及定价:
- 978-7-121-20188-2/CNY79.00
- 载体形态项:
- 27, 523页:图;26cm
- 丛编项:
- 国外电子与通信教材系列
- 个人责任者:
- 宾克利 (Binkley, David M.) 著
- 个人次要责任者:
- 冯军 译
- 个人次要责任者:
- 胡庆生 译
- 学科主题:
- 模拟电路-CMOS电路-电路设计-高等学校-教材
- 中图法分类号:
- TN432.02
- 中图法分类号:
- TN432
- 出版发行附注:
- 由John Wiley & Sons, Ltd.授予
- 责任者附注:
- 责任者Binkley规范汉译姓: 宾克利
- 提要文摘附注:
- 本书分为两部分，第一部分研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出介绍；第二部分采用CMOS工艺结合典型电路计进行实例介绍， 给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。
- 使用对象附注:
- 可作为高等院校的研究生教材,也可作为集成电路设计领域高水平技术人员的参考书
全部MARC细节信息>>