MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：13
- 题名/责任者:
- 电力电子新器件及其制造技术/王彩琳编著
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2015
- ISBN及定价:
- 978-7-111-47572-9/CNY99.00
- 载体形态项:
- xi, 554页:图;24cm
- 丛编项:
- 电力电子新技术系列图书
- 个人责任者:
- 王彩琳 编著
- 学科主题:
- 电力系统-电子器件-生产工艺
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- “十二五”国家重点图书出版规划项目
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件[（包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管（IGCT））]、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区，功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强（IE）等新技术进行了详细介绍。
- 使用对象附注:
- 本书可作为电子科学与技术、电力电子与电气传动等学科的本科生、研究生专业课程的参考书，也可供从事电力半导体器件制造及应用的工程技术人员和有关科技管理人员参考。
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