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• 005 20210611083500.0

• 010 __ |a 978-7-03-066300-9 |d CNY88.00

• 100 __ |a 20201230d2020 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征 |A duan gou daoMOSFETde gao pin zao sheng ji li fen xi yu biao zheng |f 王军著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2020.10

• 215 __ |a 149页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 信息材料与应用技术丛书 |A xin xi cai liao yu ying yong ji shu cong shu

• 312 __ |a 英文并列题名取自于封面

• 320 __ |a 有书目 (第145-149页) 和索引

• 330 __ |a 本书针对典型的短沟道器件40纳米MOSFET，从仿真分析（快速估算和精确计算），到基于半导体物理的数学建模，再到基于器件样片测量的实验研究等循序渐进的研究历程，详细介绍了短沟道器件高频噪声机理的偏置不守恒特性的揭示过程。本书的主要内容包括：研究现状分析、基于二维Monte Carlo仿真的噪声分析、基于Boltzmann方程直接求解的噪声分析、基于物理的噪声紧凑模型表征、基于测量的噪声半经验模型表征、人工智能技术在噪声建模中的应用等。

• 333 __ |a 本书适用于电子科学与技术、信息与通信工程、电子工程、应用物理、材料科学等研究领域的科学家、工程师及高校师生参考。

• 410 _0 |1 2001 |a 信息材料与应用技术丛书

• 510 1_ |a Analysis and characterization of high frequency noise mechanism of short channel MOSFET |z eng

• 606 0_ |a 微电子技术 |A wei dian zi ji shu |x 电子器件 |x 高频 |x 噪声 |x 研究

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _0 |a 王军 |A wang jun |4 著

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20201228

• 905 __ |a WXCSXY |d TN4/74