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• 010 __ |a 978-7-111-47572-9 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20150616d2015 em y0chiy50 ea

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 电力电子新器件及其制造技术 |A Dian Li Dian Zi Xin Qi Jian Ji Qi Zhi Zao Ji Shu |f 王彩琳编著

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2015

• 215 __ |a xi, 554页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 电力电子新技术系列图书 |A Dian Li Dian Zi Xin Ji Shu Xi Lie Tu Shu

• 300 __ |a “十二五”国家重点图书出版规划项目

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件[（包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管（IGCT））]、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区，功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强（IE）等新技术进行了详细介绍。

• 333 __ |a 本书可作为电子科学与技术、电力电子与电气传动等学科的本科生、研究生专业课程的参考书，也可供从事电力半导体器件制造及应用的工程技术人员和有关科技管理人员参考。

• 410 _0 |1 2001 |a 电力电子新技术系列图书

• 606 0_ |a 电力系统 |A Dian Li Xi Tong |x 电子器件 |x 生产工艺

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 王彩琳 |A Wang Cai Lin |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20150616

• 905 __ |a WXCSXY |d TN303/22