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• 001 0000414338

• 005 20151216163100.0

• 010 __ |a 978-7-111-49307-5 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20140418d2015 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 先进的高压大功率器件 |A Xian Jin De Gao Ya Da Gong Lu^ Qi Jian |e 原理、特性和应用 |d = Advanced high voltage power device concepts |f (美) B. Jayant Baliga著 |g 于坤山 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2015

• 215 __ |a xiv, 442页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 国际电气工程先进技术译丛 |A Guo Ji Dian Qi Gong Cheng Xian Jin Ji Shu Yi Cong

• 304 __ |a 译者还有：金锐、杨霏、赵志斌、齐磊

• 306 __ |a 由Springer授权出版

• 314 __ |a 责任者Baliga规范汉译姓 : 巴利加

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断，并可利用IGBT加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。

• 333 __ |a 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

• 410 _0 |1 2001 |a 国际电气工程先进技术译丛

• 500 10 |a Advanced high voltage power device concepts |A Advanced High Voltage Power Device Concepts |m Chinese

• 606 0_ |a 大功率 |A Da Gong Lu^ |x 功率半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 巴利加 |A Ba Li Jia |g (Baliga, B. Jayant) |4 著

• 702 _0 |a 于坤山 |A Yu Kun Shan |4 译

• 702 _0 |a 金锐 |A Jin Rui |4 译

• 702 _0 |a 杨霏 |A Yang Fei |4 译

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20150616

• 905 __ |a WXCSXY |d TN303/23