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• 000 01284nam0 2200265 450

• 001 0000429610

• 005 20160628123900.0

• 010 __ |a 978-7-03-047164-2 |d CNY68.00

• 100 __ |a 20160301d2016 ekmy0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 硅通孔与三维集成电路 |A Gui Tong Kong Yu San Wei Ji Cheng Dian Lu |f 朱樟明, 杨银堂著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2016

• 215 __ |a 234页 |c 图 |d 24cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书系统讨论了基于硅通孔的三维集成电路设计所涉及的一些关键科学问题，包括硅通孔寄生参数提取、硅通孔电磁模型、新型硅通孔结构、三维集成互连线、三维集成电路热管理、硅通孔微波/毫米波特性、碳纳米硅通孔及集成互连线等，对想深入了解硅通孔和三维集成电路的工程人员和科研人员具有很强的指导意义和实用性。本书所提出的硅通孔结构、硅通孔解析模型、硅通孔电磁模型、三维集成电路热管理、三维集成互连线建模和设计等关键技术，已经在IEEE TED、IEEE MWCL等国外著名期刊上发表，可以直接供读者参考。

• 333 __ |a 可作为集成电路设计、集成电路封装、微电子封装等相关专业的工程师和专业研究人员的参考书

• 606 0_ |a 集成电路 |A Ji Cheng Dian Lu |x 封装工艺

• 690 __ |a TN405 |v 5

• 701 _0 |a 朱樟明 |A Zhu Zhang Ming |4 著

• 701 _0 |a 杨银堂 |A Yang Yin Tang |4 著

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20150511

• 905 __ |a WXCSXY |d TN405/8