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• 005 20121127190400.0

• 010 __ |a 978-7-03-034128-0 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20120719d2012 em y0chiy0121 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅晶体生长与缺陷 |A tan hua gui jing ti sheng zhang yu que xian |d = The growth and defects of silicon carbide crystal |f 施尔畏编著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2012.5

• 215 __ |a xiv, 360页 |c 彩图 |d 25cm

• 300 __ |a 中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部

• 330 __ |a 本书系统地介绍了物理气相输运(PVT)法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作, 由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn的碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。

• 333 __ |a 可供从事无机晶体生长研究的科技人员参考, 亦可供从事相关领域研究的科技人员和在学研究生阅读

• 510 1_ |a Growth and defects of silicon carbide crystal |z eng

• 606 0_ |a 硅酸盐矿物 |A gui suan yan kuang wu |x 晶体生长

• 690 __ |a P578.94 |v 5

• 690 __ |a P57 |v 4

• 701 _0 |a 施尔畏 |A shi er wei |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 三新书业 |c 20120907

• 905 __ |a WXCSXY |d P57/2