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首记录 上一条 1 / 2 下一条 尾记录 MARC状态:审校  文献类型:中文图书 浏览次数:14 

题名/责任者:
碳化硅晶体生长与缺陷/施尔畏编著
出版发行项:
北京:科学出版社,2012.5
ISBN及定价:
978-7-03-034128-0 精装/CNY128.00
载体形态项:
xiv, 360页:彩图;25cm
并列正题名:
Growth and defects of silicon carbide crystal
个人责任者:
施尔畏 编著
学科主题:
硅酸盐矿物-晶体生长
中图法分类号:
P578.94
中图法分类号:
P57
一般附注:
中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部
提要文摘附注:
本书系统地介绍了物理气相输运(PVT)法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作, 由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn的碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。
使用对象附注:
可供从事无机晶体生长研究的科技人员参考, 亦可供从事相关领域研究的科技人员和在学研究生阅读
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 附件 说明 书刊状态
P57/2 000295074  - 六楼书库 图书定位    可借
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