MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：16
- 题名/责任者:
- 先进的高压大功率器件:原理、特性和应用/(美) B. Jayant Baliga著 于坤山 ... [等] 译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2015
- ISBN及定价:
- 978-7-111-49307-5/CNY99.00
- 载体形态项:
- xiv, 442页:图;24cm
- 丛编项:
- 国际电气工程先进技术译丛
- 个人责任者:
- 巴利加 (Baliga, B. Jayant) 著
- 个人次要责任者:
- 于坤山 译
- 个人次要责任者:
- 金锐 译
- 个人次要责任者:
- 杨霏 译
- 学科主题:
- 大功率-功率半导体器件
- 中图法分类号:
- TN303
- 题名责任附注:
- 译者还有：金锐、杨霏、赵志斌、齐磊
- 出版发行附注:
- 由Springer授权出版
- 责任者附注:
- 责任者Baliga规范汉译姓 : 巴利加
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断，并可利用IGBT加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。
- 使用对象附注:
- 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
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